Ram memory DDR4 nga Samsung

[SkilleR]

Samsung paraqiti modulet e memories DDR4 të mbaruar në procesin prodhues prej 30-nanometrave. Brezi i memories është 2.133 Gbps me tension prej 1.2 V, por prodhuesi tërheq vërejtjen se mund të arrihen deri në 3.2 Gbps nëse përdoret tensioni prej 1.6 V.

Për krahasim, modulet DDR3 në 30-nanometra arrijnë 1.6 Gbps me tension prej 1.35 deri 1.5 V. Memoriet e reja DDR4 gjatë përdorimit në kompjuterët portativ do të sigurojnë shpenzim të energjisë deri 40% më të ulët në krahasim me modulet DDR3 të cilët punojnë në 1.5 V.

Samsung që tani ka filluar me dërgesat e ekzemplarëve të memories DDR4 për prodhuesit tjerë, por prodhimi masiv ende nuk është paralajmëruar.